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晶粒边界到晶粒的电位陡降发生在≈５０￣１００ｎｍ 的距离内，称为耗尽层。这样， 在每个晶粒边界处都存在晶粒边界向两侧延展入相邻晶粒 的耗尽层。晶粒间存在耗尽层提高了压敏电阻的作用。 晶粒边界两侧两个耗尽层的存在，使得 ＺｎＯ 压敏电 阻对极性变化不敏感。在这一方面，压敏电阻像一个背对 背的二极管。进一步说，由于晶粒边界附近区域的电子被 耗尽，当施加外电压时，跨在晶粒边界上出现一电压降。 这被称作势垒电势，一般是≈２￣４Ｖ／（每晶粒边界）。
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压敏电阻冲击电流作用下的老化机理
冲击电流作用下主要是热老化。能量迅速注入电阻片，温度升高很多，使离子的能量大为增加，迁移力增大，使反偏压侧的Zni，Bi3+等向晶界迁移。
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